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Evolution of the electronic structure with size in II-VI semiconductor nanocrystals

机译:II-VI半导体中具有尺寸的电子结构的演变   纳米晶

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摘要

In order to provide a quantitatively accurate description of the band gapvariation with sizes in various II-VI semiconductor nanocrystals, we make useof the recently reported tight-binding parametrization of the correspondingbulk systems. Using the same tight-binding scheme and parameters, we calculatethe electronic structure of II-VI nanocrystals in real space with sizes rangingbetween 5 and 80 {\AA} in diameter. A comparison with available experimentalresults from the literature shows an excellent agreement over the entire rangeof sizes.
机译:为了提供各种II-VI半导体纳米晶体中带隙随尺寸变化的定量准确描述,我们利用了最近报道的相应本体系统的紧密结合参数化。使用相同的紧密结合方案和参数,我们计算了真实空间中直径在5至80 {\ AA}之间的II-VI纳米晶体的电子结构。与文献中提供的实验结果进行比较后,发现在整个尺寸范围内,其一致性都很好。

著录项

  • 作者

    Sapra, Sameer; Sarma, D. D.;

  • 作者单位
  • 年度 2003
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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